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free standing gan substrates online manufacture

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kaufen Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert Online fabricant

Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert
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2023-02-17 11:02:58
kaufen M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser Online fabricant

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser
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2025-04-04 22:43:38
kaufen GaN-Substrate Oberflächenrauigkeit der Ga-Fläche &lt; 0,2 nm (poliert) oder &lt; 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie) Online fabricant

GaN-Substrate Oberflächenrauigkeit der Ga-Fläche < 0,2 nm (poliert) oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie)
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2025-04-04 22:42:49
kaufen SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity &gt; 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät Online fabricant

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät
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2025-04-04 22:43:36
kaufen Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft &lt; 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser Online fabricant

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser
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2025-04-04 22:43:36
kaufen 350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm Online fabricant

350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity &gt; 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate Online fabricant

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate
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2025-04-04 22:43:31
kaufen SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity &gt; 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät Online fabricant

SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät
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2025-04-04 22:43:33
kaufen 5*10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat 0,1 Ω·cm Widerstand für Stromgerät Online fabricant

5*10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat 0,1 Ω·cm Widerstand für Stromgerät
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2025-04-27 11:43:51
kaufen 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand &gt; 10⁶ Ω·cm HF-Geräte Online fabricant

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
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2025-04-04 22:43:44
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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