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µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm2025-04-04 22:43:27 |
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0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing2024-10-29 11:49:58 |
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Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm2023-02-17 14:30:35 |
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GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat2024-12-06 17:45:14 |
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Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C2024-10-29 11:49:57 |
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Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um2024-10-29 11:49:57 |