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silicon carbide crystal 4h online manufacture

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kaufen 4H sic Epitaxial- Oblate ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm Online fabricant

4H sic Epitaxial- Oblate ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm
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2024-10-29 11:49:58
kaufen Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP Online fabricant

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP
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2022-10-24 10:26:24
kaufen JDZJ01-001-004 SiC-Ingot-Kristall 6" P-Klasse Online fabricant

JDZJ01-001-004 SiC-Ingot-Kristall 6" P-Klasse
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2025-04-04 22:42:33
kaufen 6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um Online fabricant

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2022-10-24 10:21:10
kaufen 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 47,5 mm ± 1,5 mm Online fabricant

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40
kaufen 350 um 4H SiC-Substrat Online fabricant

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2022-10-09 16:57:57
kaufen P-Level 2-Zoll-SiC-Substrat für Leistungsgeräte und Mikrowellengeräte Online fabricant

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2024-10-29 11:49:58
kaufen 4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm Online fabricant

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Widerstand≥1E9Ω·Cm Für die Mikrowelle Online fabricant

4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Widerstand≥1E9Ω·Cm Für die Mikrowelle
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2025-04-27 11:43:50
kaufen 150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial- Oblate keine Sekundärebene 3mm Online fabricant

150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial- Oblate keine Sekundärebene 3mm
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2024-10-29 11:49:58
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