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gallium nitride semiconductor wafer online manufacture

(31)

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer
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2023-03-23 18:00:45

C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate
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2022-10-25 15:05:44

Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch
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2023-02-17 11:16:39

2-Zoll-Grün-LED-GaN auf Siliziumwafer, Abmessungen 520 ± 10 nm
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2023-02-17 11:21:32

Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35

JDCD04-001-003 10 x 10 mm2 100 (Off 6°) Fe-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristallsubstrat Einzelpolierung in Produktqualität
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2022-10-09 10:29:17

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lackierte freistehendes Ga2O3 einzelnes Crystal Substrate Product Grade einzelnes Polnisch
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2022-10-09 10:30:00

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity <0.1 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser W
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2022-10-25 15:15:40

JDCD04-001-007 10 x 10 mm2 (010) Sn-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristall-Substrat Produktqualität Einzelpolierung
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2023-02-17 14:49:57

SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,1 Ω·cm-Starkstromgerät
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2023-02-17 11:08:54

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JDCD04-001-007 10 x 10 mm2 (010) Sn-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristall-Substrat Produktqualität Einzelpolierung
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP