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gallium nitride semiconductor wafer online manufacture

(35)

2 ′′ 6-Zoll-N-Typ GaN auf Saphir-Epitaxial-Wafer für LED-Laser-PIN-Gerät
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2024-12-06 17:48:43

GaN-Epitaxialwafer ist für die Produktion von Hochspannungs-Hochfrequenzchips unerlässlich
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2024-12-06 17:47:04

4 Zoll Fe-Doppierte freistehende GaN-Substrat Galliumnitrid
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2024-12-06 17:42:36

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46

10x10mm Ga2O3 Oblate 10x15mm einzelner Crystal Substrate
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2022-09-27 16:57:06

10 x 15 mm2 UID-dotierter freistehender Ga2O3-Wafer, Einzelpolierung
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2022-09-27 16:57:32

5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ
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2024-10-29 11:49:57

100mm 4 bewegen blaue Stärke 5um - 6um LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Schritt für Schritt fort
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2022-10-08 17:07:51

Sn-dotiertes Ga2O3-Wafer-Einkristallsubstrat 10x10mm2
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2024-10-29 11:49:58

Oblate einzelner Crystal Substrate Thickness FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm bis 0.8mm
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2023-02-17 14:17:37

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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP