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n type silicon epi wafer online manufacture

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kaufen GaN-Epitaxialwafer ist für die Produktion von Hochspannungs-Hochfrequenzchips unerlässlich Online fabricant

GaN-Epitaxialwafer ist für die Produktion von Hochspannungs-Hochfrequenzchips unerlässlich
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2024-12-06 17:47:04
kaufen 5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ Online fabricant

5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ
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2024-10-29 11:49:57
kaufen 6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm Online fabricant

6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
kaufen Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig Online fabricant

Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig
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2023-02-17 10:18:27
kaufen 2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer Online fabricant

2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer
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2024-12-06 17:41:10
kaufen 50mm Sapphire Wafer R9 Spiegel polierte EPI bereite Art des Oblaten-Rand-R Online fabricant

50mm Sapphire Wafer R9 Spiegel polierte EPI bereite Art des Oblaten-Rand-R
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2023-02-17 10:17:17
kaufen Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer Online fabricant

Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer
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2024-12-06 17:37:25
kaufen Optoelektronik Polieren von Saphirkristallwafern R-Typ Online fabricant

Optoelektronik Polieren von Saphirkristallwafern R-Typ
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2023-02-17 11:22:48
kaufen Optical Communications Galliumarsenid-Substrat-LEDs Online fabricant

Optical Communications Galliumarsenid-Substrat-LEDs
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2022-10-09 09:53:08
kaufen 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte Online fabricant

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
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2025-04-04 22:43:44
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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