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n type silicon epi wafer online manufacture

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kaufen Mikroelektronisches 279-um-Silizium-Epitaxialwafer-Primärsubstrat Online fabricant

Mikroelektronisches 279-um-Silizium-Epitaxialwafer-Primärsubstrat
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2022-09-27 16:51:53
kaufen 2'' Halbleiter-Siliziumwafer Dicke 279μm Online fabricant

2'' Halbleiter-Siliziumwafer Dicke 279μm
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2022-09-27 16:54:31
kaufen 2 ′′ 6-Zoll-N-Typ GaN auf Saphir-Epitaxial-Wafer für LED-Laser-PIN-Gerät Online fabricant

2 ′′ 6-Zoll-N-Typ GaN auf Saphir-Epitaxial-Wafer für LED-Laser-PIN-Gerät
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2024-12-06 17:48:43
kaufen 2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer für Power-Gerät Online fabricant

2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer für Power-Gerät
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2024-12-06 17:40:06
kaufen Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm Online fabricant

Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm
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2024-10-29 11:49:57
kaufen 6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm Online fabricant

6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
kaufen AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si Online fabricant

AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si
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2024-12-06 17:33:44
kaufen 6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si Online fabricant

6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si
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2024-12-06 17:38:23
kaufen 2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium Online fabricant

2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium
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2024-12-06 17:35:32
kaufen 4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm Online fabricant

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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