Startseite Produkten type silicon epi wafer Online-Hersteller

Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer
(61)

Sic Epitaxial- Oblate
(28)

GaAs-Epi-Wafer
(15)

CVD-Diamantsubstrate
(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem
(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren
(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate
(21)

Laserdiode-Chip
(10)

Silikon-Karbid-Kristall
(12)

Ga2O3-Wafer
(13)

Siliziumscheibe
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Kopierte Sapphire Substrates
(10)

oblaten-Halter
(1)

Wafer-Dicing-Maschine
(5)

Bescheinigung

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen

Ich bin online Chat Jetzt

n type silicon epi wafer online manufacture

(8)

Mikroelektronisches 279-um-Silizium-Epitaxialwafer-Primärsubstrat
Kontakt

Lesen Sie weiter

2022-09-27 16:51:53

2'' Halbleiter-Siliziumwafer Dicke 279μm
Kontakt

Lesen Sie weiter

2022-09-27 16:54:31

Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm
Kontakt

Lesen Sie weiter

2023-02-17 17:52:26

6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm
Kontakt

Lesen Sie weiter

2022-10-24 10:23:04

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm
Kontakt

Lesen Sie weiter

2023-02-17 15:19:25

5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ
Kontakt

Lesen Sie weiter

2023-02-17 17:53:35

Optical Communications Galliumarsenid-Substrat-LEDs
Kontakt

Lesen Sie weiter

2022-10-09 09:53:08

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
Kontakt

Lesen Sie weiter

2024-07-31 15:01:27

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial- Oblate

GaAs-Epi-Wafer

CVD-Diamantsubstrate

Schnelles thermisches Vergütungssystem

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

Aluminium-Nitrid-Oblate

Laserdiode-Chip

Silikon-Karbid-Kristall

Ga2O3-Wafer

Siliziumscheibe

Sapphire Wafer

Kopierte Sapphire Substrates

oblaten-Halter

Wafer-Dicing-Maschine

n type silicon epi wafer online manufacture

Mikroelektronisches 279-um-Silizium-Epitaxialwafer-Primärsubstrat
Kontakt

2'' Halbleiter-Siliziumwafer Dicke 279μm
Kontakt

Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm
Kontakt

6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm
Kontakt

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm
Kontakt

5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ
Kontakt

Optical Communications Galliumarsenid-Substrat-LEDs
Kontakt

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
Kontakt

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP