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polished sapphire wafers online manufacture

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kaufen GaN-Epitaxialwafer ist für die Produktion von Hochspannungs-Hochfrequenzchips unerlässlich Online fabricant

GaN-Epitaxialwafer ist für die Produktion von Hochspannungs-Hochfrequenzchips unerlässlich
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2024-12-06 17:47:04
kaufen 4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:43:47
kaufen JDCD08-001-003 2 Inch M Flachsafir Substrat Wafer Online fabricant

JDCD08-001-003 2 Inch M Flachsafir Substrat Wafer
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2025-04-27 11:43:50
kaufen Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 Online fabricant

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05
kaufen Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um Online fabricant

Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um
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2023-02-17 11:22:13
kaufen JDCD08-001-005 4-Zoll-R-Plane-Saphir-Substratwafer Online fabricant

JDCD08-001-005 4-Zoll-R-Plane-Saphir-Substratwafer
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2025-04-04 22:42:28
kaufen AIN On Aluminum Nitride Wafer-Rauheit Ra<1.5nm Online fabricant

AIN On Aluminum Nitride Wafer-Rauheit Ra<1.5nm
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2022-09-27 15:41:22
kaufen Flacher Saphir-4-Zoll-Blue-LED-GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP Online fabricant

Flacher Saphir-4-Zoll-Blue-LED-GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP
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2022-10-08 17:23:32
kaufen 625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir Online fabricant

625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir
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2024-12-06 17:46:07
kaufen 4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir Online fabricant

4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir
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2024-11-18 19:17:19
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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