|
|
6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm2022-10-24 10:23:04 |
|
|
150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial- Oblate keine Sekundärebene 3mm2024-10-29 11:49:58 |
|
|
6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 47,5 mm ± 1,5 mm2022-10-24 10:23:40 |
|
|
Polytyp Keine Zulässig SiC-Epitaxie-Wafer P-MOS P-SBD D-Qualität2024-10-29 11:49:58 |
|
|
2 Zoll-Halbleiterwafer-P Niveau 260μm für Starkstromgerät-Mikrowellen-Geräte2022-10-24 10:25:55 |
|
|
sic Epitaxial- Oblate 6inch2022-10-09 16:56:20 |