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wafer cassette carrier online manufacture

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kaufen 6-Zoll--Oblatenhalter zum Reinigen von Blumenkörben und Griffen Online fabricant

6-Zoll--Oblatenhalter zum Reinigen von Blumenkörben und Griffen
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2022-10-09 10:46:01
kaufen 4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:42:55
kaufen 4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer Online fabricant

4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer
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2025-04-04 22:43:54
kaufen Halbleiterverbindung 2-Zoll-GaAs-Epi-Wafer GaAs-Si-Wafer UKAS Online fabricant

Halbleiterverbindung 2-Zoll-GaAs-Epi-Wafer GaAs-Si-Wafer UKAS
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2022-09-27 17:18:19
kaufen 4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:43:47
kaufen 4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer Online fabricant

4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer
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2025-04-04 22:43:49
kaufen 18mm GaAs Undoped Substrate VGF S-C-N der Si-Oblaten-2inch GaAs Online fabricant

18mm GaAs Undoped Substrate VGF S-C-N der Si-Oblaten-2inch GaAs
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2022-10-09 09:53:40
kaufen 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 4H-Kristallform Online fabricant

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 4H-Kristallform
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2022-10-24 10:20:57
kaufen 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate Online fabricant

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate
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2024-10-14 17:06:30
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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