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gallium nitride semiconductor wafer online manufacture

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kaufen Oblate einzelner Crystal Substrate Thickness FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm bis 0.8mm Online fabricant

Oblate einzelner Crystal Substrate Thickness FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm bis 0.8mm
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2023-02-17 14:17:37
kaufen 4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:43:47
kaufen 2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm Online fabricant

2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm
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2025-04-27 11:43:50
kaufen Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch Online fabricant

Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch
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2025-04-04 22:43:39
kaufen Ra 0,3 nm Ga2O3 Einkristall-Epitaxialwafer 2 Zoll 4 Zoll Online fabricant

Ra 0,3 nm Ga2O3 Einkristall-Epitaxialwafer 2 Zoll 4 Zoll
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2023-02-17 14:34:04
kaufen Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend Online fabricant

Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend
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2022-10-09 10:34:19
kaufen 0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing Online fabricant

0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58
kaufen Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm Online fabricant

Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35
kaufen 10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer Online fabricant

10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer
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2025-04-27 11:43:51
kaufen JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren Online fabricant

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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