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p type silicon substrate online manufacture

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kaufen 100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad Politype 4H Online fabricant

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad Politype 4H
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2022-10-09 10:12:00
kaufen 100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm Online fabricant

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm
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2022-09-27 17:01:26
kaufen Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm Online fabricant

Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm
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2022-09-27 17:01:05
kaufen Getrennte Gerät-Si-Substrate P/E P/P E/Z.B. /G Oberflächen beendet Online fabricant

Getrennte Gerät-Si-Substrate P/E P/P E/Z.B. /G Oberflächen beendet
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2022-09-27 16:53:50
kaufen 6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm Online fabricant

6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
kaufen 5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm Online fabricant

5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät Online fabricant

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät
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2025-04-04 22:43:36
kaufen Wachstums-Methode CZ-Siliziumscheibe 5" Orientierung <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> Online fabricant

Wachstums-Methode CZ-Siliziumscheibe 5" Orientierung <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
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2022-09-27 16:53:40
kaufen Haupt- 2&quot; Siliziumscheibe Standard-&lt;10 μm maximales Capabilities&lt;5um Online fabricant

Haupt- 2" Siliziumscheibe Standard-<10 μm maximales Capabilities<5um
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2022-09-27 16:52:11
kaufen CZ-Silikon-Halbleiterwafer 380um 525um 625um Online fabricant

CZ-Silikon-Halbleiterwafer 380um 525um 625um
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2022-09-27 16:51:27
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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