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p type silicon substrate online manufacture

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kaufen 6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si Online fabricant

6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si
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2024-12-06 17:38:23
kaufen Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig Online fabricant

Ein spiegelpolierter Saphir-Wafer mit planer Oberflächenausrichtung, EPI-fähig
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2023-02-17 10:18:27
kaufen Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um Online fabricant

Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um
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2022-10-08 17:12:14
kaufen 50.8mm Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer 2 Zoll-freie Stellung Online fabricant

50.8mm Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer 2 Zoll-freie Stellung
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2022-10-08 17:22:16
kaufen 4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:43:47
kaufen 50mm Sapphire Wafer R9 Spiegel polierte EPI bereite Art des Oblaten-Rand-R Online fabricant

50mm Sapphire Wafer R9 Spiegel polierte EPI bereite Art des Oblaten-Rand-R
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2023-02-17 10:17:17
kaufen sic Epitaxial- Oblate 6inch Online fabricant

sic Epitaxial- Oblate 6inch
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2022-10-09 16:56:20
kaufen 47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic Online fabricant

47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm Online fabricant

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer Online fabricant

2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer
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2024-12-06 17:41:10
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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