Referenzen |
Startseite Produktep type silicon substrate Online-Hersteller
Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial- Oblate

(39)

GaAs-Epi-Wafer

(15)

CVD-Diamantsubstrate

(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem

(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate

(21)

Laserdiode-Chip

(10)

Silikon-Karbid-Kristall

(12)

Ga2O3-Wafer

(13)

Siliziumscheibe

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Kopierte Sapphire Substrates

(10)

oblaten-Halter

(1)

Wafer-Dicing-Maschine

(5)
Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

p type silicon substrate online manufacture

(81)
kaufen SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um Online Hersteller

SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um
Kontakt

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Lesen Sie weiter
2022-10-08 16:41:01
kaufen 6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um Online Hersteller

6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um
Kontakt

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:21:10
kaufen 2 Zoll U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm Online Hersteller

2 Zoll U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
Kontakt

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 350 ± 25 μm 50.8 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN Template ... Lesen Sie weiter
2024-10-14 17:06:30
kaufen SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2 Online Hersteller

SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2
Kontakt

5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Because GaN transistors are able to turn on faster than silicon ... Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
kaufen Einzelne Gesichts-UNO Crystal GaN Epitaxial Wafers 2inch C lackierte n-Art Online Hersteller

Einzelne Gesichts-UNO Crystal GaN Epitaxial Wafers 2inch C lackierte n-Art
Kontakt

2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview High-quality GaN free-standing substrates with low dislocation density suitable ... Lesen Sie weiter
2022-10-08 16:00:57
kaufen 0,001–100 Ohm-cm Siliziumwafer P-Typ-Bor-Dotierstoff Online Hersteller

0,001–100 Ohm-cm Siliziumwafer P-Typ-Bor-Dotierstoff
Kontakt

0.001-100 ohm-cm Silicon Wafer Particle Lesen Sie weiter
2022-09-27 16:52:32
kaufen N-Art Art des Sb-N als Siliziumscheibe 6 Zoll 8 Zoll Online Hersteller

N-Art Art des Sb-N als Siliziumscheibe 6 Zoll 8 Zoll
Kontakt

Growth Method CZ Silicon Wafer Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the electronic ... Lesen Sie weiter
2023-02-17 12:43:17
kaufen Diskrete Geräte 2 Zoll Siliziumwafer Dicke 675 um 725 um 775 um Online Hersteller

Diskrete Geräte 2 Zoll Siliziumwafer Dicke 675 um 725 um 775 um
Kontakt

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer Thickness(μm) 279/380/525/625/675/725/775 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductor... Lesen Sie weiter
2022-09-27 16:50:52
kaufen Sic n-Art Substrat Online Hersteller

Sic n-Art Substrat
Kontakt

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Currently silicon carbide (SiC) is widely used for ... Lesen Sie weiter
2022-10-09 16:57:15
kaufen Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates Online Hersteller

Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Kontakt

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Lesen Sie weiter
2023-02-17 10:57:06
Page 3 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
über

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität GaN Epitaxial Wafer Anbieter. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.