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p type silicon substrate online manufacture

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kaufen Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates Online fabricant

Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06
kaufen Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 Online fabricant

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05
kaufen M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um Online fabricant

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46
kaufen Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert Online fabricant

Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert
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2023-02-17 11:02:58
kaufen Optoelektronik Polieren von Saphirkristallwafern R-Typ Online fabricant

Optoelektronik Polieren von Saphirkristallwafern R-Typ
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2023-02-17 11:22:48
kaufen JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren Online fabricant

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren
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2025-04-27 11:43:51
kaufen 5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ Online fabricant

5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ
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2024-10-29 11:49:57
kaufen Optical Communications Galliumarsenid-Substrat-LEDs Online fabricant

Optical Communications Galliumarsenid-Substrat-LEDs
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2022-10-09 09:53:08
kaufen 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N Online fabricant

0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N
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2022-09-27 17:01:16
kaufen 4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Online fabricant

4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm
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2022-09-27 17:35:24
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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