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p type silicon substrate online manufacture

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kaufen Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 Online Hersteller

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Lesen Sie weiter
2023-02-17 10:18:05
kaufen Flache Sapphire Substrate Wafer Thk 440um der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip Online Hersteller

Flache Sapphire Substrate Wafer Thk 440um der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip
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50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 430μm OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate material ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 16:24:09
kaufen Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert Online Hersteller

Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert
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5*10.5mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Lesen Sie weiter
2023-02-17 11:02:58
kaufen M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um Online Hersteller

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Lesen Sie weiter
2022-10-08 17:04:46
kaufen Optoelektronik Polieren von Saphirkristallwafern R-Typ Online Hersteller

Optoelektronik Polieren von Saphirkristallwafern R-Typ
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Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Lesen Sie weiter
2023-02-17 11:22:48
kaufen JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren Online Hersteller

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren
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10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
kaufen 5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ Online Hersteller

5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ
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5*10mm2 Free-Standing GaN Single Crystal Substrate (20-21)/(20-2-1) Un-Doped SI-Type 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF ... Lesen Sie weiter
2024-10-29 11:49:57
kaufen Optical Communications Galliumarsenid-Substrat-LEDs Online Hersteller

Optical Communications Galliumarsenid-Substrat-LEDs
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2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview Gallium arsenide is used in the manufacture of light-emitting diode s (LEDs), which are found in optical communications and control systems. Gallium arsenide can ... Lesen Sie weiter
2022-10-09 09:53:08
kaufen 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N Online Hersteller

0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N
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0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:01:16
kaufen 4&quot; P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Online Hersteller

4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm
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4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:35:24
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

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