Referenzen |
Startseite Produktep type silicon substrate Online-Hersteller
Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial- Oblate

(39)

GaAs-Epi-Wafer

(15)

CVD-Diamantsubstrate

(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem

(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate

(21)

Laserdiode-Chip

(10)

Silikon-Karbid-Kristall

(12)

Ga2O3-Wafer

(13)

Siliziumscheibe

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Kopierte Sapphire Substrates

(10)

oblaten-Halter

(1)

Wafer-Dicing-Maschine

(5)
Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

p type silicon substrate online manufacture

(81)
kaufen TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W Online fabricant

TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W
Kontakt

Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
kaufen 350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm Online fabricant

350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm
Kontakt

Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
kaufen P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend Online fabricant

P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:21:46
kaufen 2 ′′ 6-Zoll-N-Typ GaN auf Saphir-Epitaxial-Wafer für LED-Laser-PIN-Gerät Online fabricant

2 ′′ 6-Zoll-N-Typ GaN auf Saphir-Epitaxial-Wafer für LED-Laser-PIN-Gerät
Kontakt

Lesen Sie weiter
2024-12-06 17:48:43
kaufen 350 um 4H SiC-Substrat Online fabricant

350 um 4H SiC-Substrat
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-09 16:57:57
kaufen Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser Online fabricant

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser
Kontakt

Lesen Sie weiter
2025-04-04 22:43:36
kaufen 4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4&quot; p-Grad-Si-Gesicht Online fabricant

4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:01:35
kaufen GaN-violettes Laser auf Silizium 2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi-Wafer UV LD Epi-Wafer Online fabricant

GaN-violettes Laser auf Silizium 2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi-Wafer UV LD Epi-Wafer
Kontakt

Lesen Sie weiter
2024-12-06 17:35:32
kaufen 2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium Online fabricant

2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium
Kontakt

Lesen Sie weiter
2024-12-06 17:35:32
kaufen AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si Online fabricant

AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si
Kontakt

Lesen Sie weiter
2024-12-06 17:33:44
Page 6 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
über

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität GaN Epitaxial Wafer Fournisseur. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.