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Polytyp Keine Zulässig SiC-Epitaxie-Wafer P-MOS P-SBD D-Qualität2024-10-29 11:49:58 |
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6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm2022-10-24 10:23:04 |
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350 um 4H SiC-Substrat2022-10-09 16:57:57 |
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2 Zoll-Halbleiterwafer-P Niveau 260μm für Starkstromgerät-Mikrowellen-Geräte2022-10-24 10:25:55 |
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6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um2022-10-24 10:21:10 |
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Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate2022-10-08 17:19:48 |
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P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend2022-10-24 10:21:46 |
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AlGaN-Pufferdicke 600 nm 2-Zoll-Blue-LED-GaN auf Siliziumwafer2022-10-08 16:50:25 |
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Sic n-Art Substrat2022-10-09 16:57:15 |
