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gan epitaxial wafer online manufacture

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kaufen 4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Widerstand≥1E9Ω·Cm Für die Mikrowelle Online fabricant

4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Widerstand≥1E9Ω·Cm Für die Mikrowelle
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2025-04-27 11:43:50
kaufen Hintere Oberflächenrauigkeit 0.8um zu 1.2um kopierte Sapphire Substrates Width 16mm Online fabricant

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2022-09-27 16:46:21
kaufen Flacher Kantenwinkel 16 mm gemusterte Vorderseite des Saphirsubstrats Online fabricant

Flacher Kantenwinkel 16 mm gemusterte Vorderseite des Saphirsubstrats
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2022-10-09 10:43:37
kaufen Gemusterte 2-Zoll-Saphir-Substrate LED-Chip-Substrat 50,80 mm Online fabricant

Gemusterte 2-Zoll-Saphir-Substrate LED-Chip-Substrat 50,80 mm
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2022-10-09 10:43:12
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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