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gan epitaxial wafer online manufacture

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kaufen Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate Online fabricant

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
kaufen GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ Online fabricant

GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ
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2022-10-08 15:51:24
kaufen UNO lackierte n-Art GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face Online fabricant

UNO lackierte n-Art GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face
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2024-10-29 11:49:57
kaufen 350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm Online fabricant

350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen C-Gesicht GaN Substrate Online fabricant

C-Gesicht GaN Substrate
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2022-10-09 17:03:25
kaufen TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W Online fabricant

TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W
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2025-04-27 11:43:51
kaufen SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2 Online fabricant

SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2
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2025-04-27 11:43:51
kaufen Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate Online fabricant

Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate
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2025-04-04 22:43:28
kaufen GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat Online fabricant

GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat
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2024-12-06 17:45:14
kaufen 5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm Online fabricant

5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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