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Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C2024-10-29 11:49:57 |
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F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte2024-10-29 11:49:57 |
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AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si2024-12-06 17:33:44 |
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6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si2024-12-06 17:38:23 |
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2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium2024-12-06 17:35:32 |
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2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium2024-12-06 17:35:32 |
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Freistehende N-GaN-Substrate N-Oberflächenrauheit 0,5 um bis 1,5 um2022-10-08 17:14:45 |
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Einzelnes Kristallsubstrat GaN2023-02-17 17:55:56 |