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gan epitaxial wafer online manufacture

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kaufen GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat Online fabricant

GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat
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2024-12-06 17:45:14
kaufen 4 Zoll Fe-Doppierte freistehende GaN-Substrat Galliumnitrid Online fabricant

4 Zoll Fe-Doppierte freistehende GaN-Substrat Galliumnitrid
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2024-12-06 17:42:36
kaufen 5*10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat 0,1 Ω·cm Widerstand für Stromgerät Online fabricant

5*10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat 0,1 Ω·cm Widerstand für Stromgerät
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2025-04-27 11:43:51
kaufen 10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat Online fabricant

10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat
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2025-04-27 11:43:50
kaufen Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm Online fabricant

Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um Online fabricant

SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um
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2022-10-08 16:41:01
kaufen Sic n-Art Substrat Online fabricant

Sic n-Art Substrat
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2022-10-09 16:57:15
kaufen Flache Sapphire Substrate Wafer Thk 440um der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip Online fabricant

Flache Sapphire Substrate Wafer Thk 440um der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip
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2022-09-27 16:24:09
kaufen Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 Online fabricant

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05
kaufen 0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing Online fabricant

0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Sic Epitaxial- Oblate

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4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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