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gan epitaxial wafer online manufacture

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kaufen Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert Online fabricant

Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert
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2023-02-17 11:02:58
kaufen Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um Online fabricant

Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um
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2024-10-29 11:49:57
kaufen 10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm Online fabricant

10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
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2025-04-27 11:43:50
kaufen 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte Online fabricant

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
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2025-04-04 22:43:44
kaufen 10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer Online fabricant

10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer
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2025-04-27 11:43:51
kaufen M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser Online fabricant

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser
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2025-04-04 22:43:38
kaufen µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm Online fabricant

µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm
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2025-04-04 22:43:27
kaufen SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity &gt; 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät Online fabricant

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät
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2025-04-04 22:43:36
kaufen Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft &lt; 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser Online fabricant

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser
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2025-04-04 22:43:36
kaufen Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15° Online fabricant

Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15°
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2025-04-04 22:43:30
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

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