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gan epitaxial wafer online manufacture

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kaufen Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um Online fabricant

Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um
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2022-10-08 17:12:14
kaufen Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer M steht freistehenden GaN-Substraten gegenüber Online fabricant

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer M steht freistehenden GaN-Substraten gegenüber
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2023-02-17 10:52:50
kaufen 5 x 10 mm2 M Face GaN Epitaxiewafer Dicke 325 um 375 um Online fabricant

5 x 10 mm2 M Face GaN Epitaxiewafer Dicke 325 um 375 um
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2024-11-18 19:17:19
kaufen Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates Online fabricant

Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06
kaufen Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer Online fabricant

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer
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2022-10-09 17:04:59
kaufen M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um Online fabricant

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46
kaufen 5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ Online fabricant

5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ
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2024-10-29 11:49:57
kaufen 4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:42:55
kaufen 4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:43:47
kaufen Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer Online fabricant

Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer
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2024-12-06 17:37:25
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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