CHINA GaN Epitaxial Wafer

Flacher Saphir-4-Zoll-Blue-LED-GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP

Produktname:Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate

Stärke:650 ± 25μm

Orientierung:C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zu M-Achse 0,2 ± 0.1°
Freistehende N-GaN-Substrate N-Oberflächenrauheit 0,5 um bis 1,5 um

Produktname:2 Zoll freistehende N-GaNsubstrate

Maße:50,0 ±0.3mm

Einzelteil:GaN-FS-C-N-C50-SSP
100mm 4 bewegen blaue Stärke 5um - 6um LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Schritt für Schritt fort

Art:Flacher Saphir

Produktname:Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate

Polnisch:Simplex poliert (SSP)/doppelte Seite poliert (DSP)
12.5mm 2inch freistehendes N GaN Epi Wafer Si Doped

Produktname:2 Zoll freistehende N-GaNsubstrate

Maße:50,0 ±0.3mm

Stärke:400 ± 30μm
4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir

Art:Flacher Saphir

Produktname:Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate

Polnisch:Simplex poliert (SSP)/doppelte Seite poliert (DSP)
Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert

Produktname:Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm
5*10mm2 SP-Gesicht Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Widerstand 0,05 Ω·cm

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

Orientierung:(11-22) Fläche weg vom Winkel in Richtung zur Fläche der M-Achse 0 ±0.5° (11-22) weg vom Winkel in R
Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm

Maße:5 x 10mm ²

Orientierung:(11-22) Fläche weg vom Winkel in Richtung zur Fläche der M-Achse 0 ±0.5° (11-22) weg vom Winkel in R

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat 0,1 Ω·cm Widerstand für Stromgerät

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

Orientierung:(10- 11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° (10- 11) Planabweichungswinkel zur C-Achse - 1 ±0

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GaN Epitaxial Wafer

Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer

C-Gesicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Flacher Saphir-4-Zoll-Blue-LED-GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP

Freistehende N-GaN-Substrate N-Oberflächenrauheit 0,5 um bis 1,5 um

100mm 4 bewegen blaue Stärke 5um - 6um LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Schritt für Schritt fort

12.5mm 2inch freistehendes N GaN Epi Wafer Si Doped

4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir

Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert

5*10mm2 SP-Gesicht Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Widerstand 0,05 Ω·cm

350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm

SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2

Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm

5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat 0,1 Ω·cm Widerstand für Stromgerät

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP