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Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer

C-Gesicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Flacher Saphir-4-Zoll-Blue-LED-GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP

Produktname:Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate

Stärke:650 ± 25μm

Orientierung:C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zu M-Achse 0,2 ± 0.1°
Freistehende N-GaN-Substrate N-Oberflächenrauheit 0,5 um bis 1,5 um

Produktname:2 Zoll freistehende N-GaNsubstrate

Maße:50,0 ±0.3mm

Einzelteil:GaN-FS-C-N-C50-SSP
100mm 4 bewegen blaue Stärke 5um - 6um LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Schritt für Schritt fort

Art:Flacher Saphir

Produktname:Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate

Polnisch:Simplex poliert (SSP)/doppelte Seite poliert (DSP)
12.5mm 2inch freistehendes N GaN Epi Wafer Si Doped

Produktname:2 Zoll freistehende N-GaNsubstrate

Maße:50,0 ±0.3mm

Stärke:400 ± 30μm
4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir

Art:Flacher Saphir

Produktname:Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate

Polnisch:Simplex poliert (SSP)/doppelte Seite poliert (DSP)
Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert

Produktname:Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm
4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

Maße:100 ± 0.2mm

Stärke/Stärke Geschlechtskrankheit:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientierung:C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ± 0,1 °
4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer

Maße:100 ± 0.2mm

Produktname:4 Zoll MG-lackiertes GaN/Sapphire Substrates

Leitungs-Art:P-artig
4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer

Produktname:4 Zoll MG-lackiertes GaN/Sapphire Substrates

Maße:100 ± 0.2mm

Leitungs-Art:P-artig
2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte

Maße:50,8 ± 1mm

Stärke:350 ± 25μm

Orientierungs-Ebene:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm
2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm

Produktname:Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer

Maße:2 Zoll

AlGaN-Puffer Stärke:400-600nm
Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch

Produktname:2-4inch Grün-GEFÜHRTES GaN auf Silikon

Größe:2 Zoll, 4 Zoll

Maß:520±10nm

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4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir

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4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer

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