CHINA GaN Epitaxial Wafer

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  5*10mm2 SP-Gesicht (20-21)/(20-2-1) UNO-lackierte N-artige freistehende GaN Single Crystal Substrate-Widerstandskraft < 0,1 Ω·cm

  Maße:5 x 10mm ²

  Stärke:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

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  Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity <0.1 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser W

  Maße:5 x 10mm ²

  Stärke:µm 350 ±25

  Orientierung:Eine Fläche (11-20) weg vom Winkel in Richtung zur Fläche der M-Achse 0 ±0.5° A (11-20) weg vom Wink

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  10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate – 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

  Produktname:GaN Epitaxial Wafer

  Maße:10 x 10,5 mm²

  Stärke:350 ±25µm

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  C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

  Maße:10 x 10,5 mm²

  Stärke:350 ±25µm

  TTV:≤ 10 µm

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  UNO-lackierte C-Gesicht 10 x 10,5 mm2 N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate

  Produktname:Einzelnes Kristallsubstrat GaN

  Maße:10 x 10,5 mm²

  Stärke:350 ±25µm

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