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GaN Epitaxial Wafer

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Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer

C-Gesicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

GaN-Epitaxialwafer ist für die Produktion von Hochspannungs-Hochfrequenzchips unerlässlich

Typ::Flacher Saphir

Polnisch:Simplex poliert (SSP)/doppelte Seite poliert (DSP)

Abmessung:50.8 ± 0,2 mm (2 Zoll)/100 ± 0,2 mm ((4 Zoll)/150 + 0,2 mm (6 Zoll)
625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir

Produktbezeichnung:Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate

Typ:Flacher Saphir

Stärke:650 ± 25μm
GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat

Min Bestellmenge:1

Verpackung Informationen:Innenverpackung: Wafer-spezifische Verpackungskiste, Außenverpackung: Kartonverpackung, eingebaute s

Zahlungsbedingungen:T/T
Einzelkristall Gan Epi Wafer Galliumnitrid Substrat 4 Zoll

Min Bestellmenge:1

Verpackung Informationen:Innenverpackung: Wafer-spezifische Verpackungskiste, Außenverpackung: Kartonverpackung, eingebaute s

Zahlungsbedingungen:T/T
4 Zoll Fe-Doppierte freistehende GaN-Substrat Galliumnitrid

Min Bestellmenge:1

Verpackung Informationen:Innenverpackung: Wafer-spezifische Verpackungskiste, Außenverpackung: Kartonverpackung, eingebaute s

Zahlungsbedingungen:T/T
2-Zoll-Grün-LED-GaN auf Siliziumwafer, Abmessungen 520 ± 10 nm

Produktname:Grün-GEFÜHRTES GaN auf Siliziumscheibe

Größe:2 Zoll 4 Zoll

Substrat-Struktur:(111) Substrate 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si
5*10mm2 SP-Gesicht (20-21)/(20-2-1) UNO-lackierte N-artige freistehende GaN Single Crystal Substrate-Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,1 Ω·cm-Starkstromgerät

Maße:5 x 10mm ²

Orientierung:(11-22) Fläche weg vom Winkel in Richtung zur Fläche der M-Achse 0 ±0.5° (11-22) weg vom Winkel in R

TTV:≤ 10µm
5*10 mm2 SP-Face (11-12) undotierter N-Typ freistehendes GaN-Einkristallsubstrat Widerstand < 0,05 Ω·cm

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

Orientierung:(11-22) Fläche weg vom Winkel in Richtung zur Fläche der M-Achse 0 ±0.5° (11-22) weg vom Winkel in R
M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

Bogen:- 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm
SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity <0.1 Ω·cm-Starkstromgerät

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

Orientierung:(10- 11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° (10- 11) Planabweichungswinkel zur C-Achse - 1 ±0

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2-Zoll-Grün-LED-GaN auf Siliziumwafer, Abmessungen 520 ± 10 nm

5*10mm2 SP-Gesicht (20-21)/(20-2-1) UNO-lackierte N-artige freistehende GaN Single Crystal Substrate-Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm

SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,1 Ω·cm-Starkstromgerät

5*10 mm2 SP-Face (11-12) undotierter N-Typ freistehendes GaN-Einkristallsubstrat Widerstand < 0,05 Ω·cm

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity <0.1 Ω·cm-Starkstromgerät

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP