CHINA GaN Epitaxial Wafer

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

Orientierung:(10- 11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° (10- 11) Planabweichungswinkel zur C-Achse - 1 ±0
Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

Orientierung:Eine Fläche (11-20) weg vom Winkel in Richtung zur Fläche der M-Achse 0 ±0.5° A (11-20) weg vom Wink
SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

Orientierung:(11-22) Fläche weg vom Winkel in Richtung zur Fläche der M-Achse 0 ±0.5° (11-22) weg vom Winkel in R
Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15°

Maße:10 x 10,5 mm²

Stärke:350 ±25µm

Orientierung:C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,35 ±0,15°
Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate

Produktname:freistehender GaN Substrates

Maße:10 x 10,5 mm²

Stärke:350 ±25µm
µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm

Produktname:GaN Epitaxial Wafer

Maße:10*10,5mm²

Stärke:350 ±25µm
4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer

Produktname:4-Zoll-Si-dotierte GaN/Saphir-Substrate

Stärke/Stärke Geschlechtskrankheit:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientierung:C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ± 0,1 °
GaN-Substrate Oberflächenrauigkeit der Ga-Fläche < 0,2 nm (poliert) oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie)

Produktname:Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Maße:10 x 10,5 mm²

Stärke:350 ±25µm
AlGaN-Pufferdicke 600 nm 2-Zoll-Blue-LED-GaN auf Siliziumwafer

Maße:2 Zoll / 4 Zoll

AlGaN-Puffer Stärke:600NM

Longueur d'onde Laser:455±10nm
2 ′′ 6-Zoll-N-Typ GaN auf Saphir-Epitaxial-Wafer für LED-Laser-PIN-Gerät

Typ::Flacher Saphir

Polnisch:Simplex poliert (SSP)/doppelte Seite poliert (DSP)

Abmessung:50.8 ± 0,2 mm (2 Zoll)/100 ± 0,2 mm ((4 Zoll)/150 + 0,2 mm (6 Zoll)

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GaN Epitaxial Wafer

Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer

C-Gesicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser

SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15°

Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate

µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm

4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer

GaN-Substrate Oberflächenrauigkeit der Ga-Fläche < 0,2 nm (poliert) oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie)

AlGaN-Pufferdicke 600 nm 2-Zoll-Blue-LED-GaN auf Siliziumwafer

2 ′′ 6-Zoll-N-Typ GaN auf Saphir-Epitaxial-Wafer für LED-Laser-PIN-Gerät

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP