CHINA GaN Epitaxial Wafer

Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm

Bogen:- 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm
TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:µm 350 ±25

Orientierung:Eine Fläche (11-20) weg vom Winkel in Richtung zur Fläche der M-Achse 0 ±0.5° A (11-20) weg vom Wink
10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer

Maße:10 x 10,5 mm²

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10 µm
2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm

Produktname:Grün-GEFÜHRTES GaN auf Siliziumscheibe

Größe:2 Zoll 4 Zoll

Substrat-Struktur:(111) Substrate 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si
10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat

Produktname:Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Maße:10 x 10,5 mm²

Stärke:350 ±25µm
10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Produktname:GaN Epitaxial Wafer

Maße:10 x 10,5 mm²

Stärke:350 ±25µm
4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

Maße:100 ± 0.2mm

Stärke/Stärke Geschlechtskrankheit:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientierung:C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ± 0,1 °
4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer

Maße:100 ± 0.2mm

Produktname:4 Zoll MG-lackiertes GaN/Sapphire Substrates

Leitungs-Art:P-artig
4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer

Produktname:4 Zoll MG-lackiertes GaN/Sapphire Substrates

Maße:100 ± 0.2mm

Leitungs-Art:P-artig
2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte

Maße:50,8 ± 1mm

Stärke:350 ± 25μm

Orientierungs-Ebene:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm
2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm

Produktname:Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer

Maße:2 Zoll

AlGaN-Puffer Stärke:400-600nm
Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch

Produktname:2-4inch Grün-GEFÜHRTES GaN auf Silikon

Größe:2 Zoll, 4 Zoll

Maß:520±10nm

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GaN Epitaxial Wafer

Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer

C-Gesicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht

TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W

10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer

2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm

10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat

10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte

2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm

Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP