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C-Gesicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat

Produktname:Freistehender GaN Single Crystal Substrate

Maße:5 x10mm-²

Stärke:350 ±25µm
Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

Produktname:M Face Free-Standing GaN Substrates

Maße:5 x 10,5 mm²

Stärke:350 ±25µm
M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Produktname:GaN-Substrat

Maße:5 x 10,5 mm²

Stärke:350 ±25µm
UNO lackierte n-Art GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face

Produktname:Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm
Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer M steht freistehenden GaN-Substraten gegenüber

Produktname:Freistehender GaN Substrate

Maße:5 x 10 Millimeter ²

Stärke:350 ±25µm
GaN-Galliumnitrid-Wafer Dicke 325 um - 375 um Freistehend

Produktname:Einzelnes Kristallsubstrat GaN

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm
5 x 10 mm2 M Face GaN Epitaxiewafer Dicke 325 um 375 um

Produktname:GaN-Substrat

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm
Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um

Maße:5 x 10 Millimeter ²

Stärke:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates

Produktname:Ein Gesicht freistehender GaN Substrates

Maße:5 x 10mm ²

Stärke:350 ±25µm
Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm

Produktname:2 Zoll freistehende N-GaNsubstrate

Bogen:≤ 20μm

Orientierungs-Ebene:(1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1mm
625um flachen dem Saphir zu des Zoll-675um 4 blauen LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Produktname:Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate

Art:Flacher Saphir

Stärke:650 ± 25μm
Oblaten-flacher Saphir 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue Grün-LED 100 Millimeter

Produktname:Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate

Stärke:650 ± 25μm

Art:Flacher Saphir

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Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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