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sic epitaxial wafer c face online manufacture

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kaufen 6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene Online fabricant

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2022-10-24 10:26:17
kaufen 4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Widerstand≥1E9Ω·Cm Für die Mikrowelle Online fabricant

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2024-10-29 11:49:58
kaufen 150 mm 4H SiC-Wafer, halbisolierendes Substrat, 6 Zoll, 350 μm Online fabricant

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2022-10-24 10:22:12
kaufen Nein Sekundäres flaches SiC-Substrat 150,0 mm 47,5 mm Online fabricant

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2022-10-24 10:24:09
kaufen 2 Zoll-Halbleiterwafer-P Niveau 260μm für Starkstromgerät-Mikrowellen-Geräte Online fabricant

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2022-10-24 10:25:55
kaufen 4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Widerstand≥1E5Ω·cm Für die Mikrowelle Online fabricant

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2025-04-27 11:43:50
kaufen 4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm Online fabricant

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2025-04-04 22:43:25
kaufen 6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um Online fabricant

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2022-10-24 10:21:10
kaufen 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte Online fabricant

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
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2025-04-04 22:43:44
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