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kaufen Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch Online fabricant

Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch
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2025-04-04 22:43:39
kaufen Einzelnes Kristallsubstrat GaN Online fabricant

Einzelnes Kristallsubstrat GaN
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2023-02-17 17:55:56
kaufen Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm Online fabricant

Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm
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2024-10-29 11:49:57
kaufen 4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir Online fabricant

4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir
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2024-11-18 19:17:19
kaufen 100mm 4 bewegen blaue Stärke 5um - 6um LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Schritt für Schritt fort Online fabricant

100mm 4 bewegen blaue Stärke 5um - 6um LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Schritt für Schritt fort
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2022-10-08 17:07:51
kaufen 625um flachen dem Saphir zu des Zoll-675um 4 blauen LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Online fabricant

625um flachen dem Saphir zu des Zoll-675um 4 blauen LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2024-10-29 11:49:57
kaufen 625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir Online fabricant

625um bis 675um 4 Zoll Blaue LED Galliumnitrid GaN Epitaxial Wafer auf Saphir SSP Flat Saphir
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2024-12-06 17:46:07
kaufen Flacher Saphir-4-Zoll-Blue-LED-GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP Online fabricant

Flacher Saphir-4-Zoll-Blue-LED-GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP
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2022-10-08 17:23:32
kaufen 2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm Online fabricant

2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm
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2025-04-04 22:43:43
kaufen GaN-Epitaxialwafer ist für die Produktion von Hochspannungs-Hochfrequenzchips unerlässlich Online fabricant

GaN-Epitaxialwafer ist für die Produktion von Hochspannungs-Hochfrequenzchips unerlässlich
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2024-12-06 17:47:04
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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