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kaufen Sic n-Art Substrat Online fabricant

Sic n-Art Substrat
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2022-10-09 16:57:15
kaufen 0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing Online fabricant

0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58
kaufen Flache Sapphire Substrate Wafer Thk 440um der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip Online fabricant

Flache Sapphire Substrate Wafer Thk 440um der Länge (Millimeter) 16 LED-Chip
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2022-09-27 16:24:09
kaufen JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lackierte freistehendes Ga2O3 einzelnes Crystal Substrate Product Grade einzelnes Polnisch Online fabricant

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lackierte freistehendes Ga2O3 einzelnes Crystal Substrate Product Grade einzelnes Polnisch
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2025-04-27 11:43:51
kaufen JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren Online fabricant

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren
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2025-04-27 11:43:51
kaufen 4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Widerstand≥1E9Ω·Cm Für die Mikrowelle Online fabricant

4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Widerstand≥1E9Ω·Cm Für die Mikrowelle
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2025-04-27 11:43:50
kaufen Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm Online fabricant

Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35
kaufen Hochreiner Al2O3＞99,995 % Saphir-Wafer, hochglanzpoliert, EPI-fähig Online fabricant

Hochreiner Al2O3＞99,995 % Saphir-Wafer, hochglanzpoliert, EPI-fähig
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2024-10-29 11:49:57
kaufen Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 Online fabricant

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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