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kaufen SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät Online fabricant

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät
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2025-04-04 22:43:36
kaufen C-Gesicht GaN Substrate Online fabricant

C-Gesicht GaN Substrate
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2022-10-09 17:03:25
kaufen Oblaten-flacher Saphir 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue Grün-LED 100 Millimeter Online fabricant

Oblaten-flacher Saphir 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue Grün-LED 100 Millimeter
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2022-10-08 17:16:14
kaufen 2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm Online fabricant

2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm
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2025-04-27 11:43:50
kaufen Freistehende N-GaN-Substrate N-Oberflächenrauheit 0,5 um bis 1,5 um Online fabricant

Freistehende N-GaN-Substrate N-Oberflächenrauheit 0,5 um bis 1,5 um
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2022-10-08 17:14:45
kaufen GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ Online fabricant

GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ
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2022-10-08 15:51:24
kaufen Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung Online fabricant

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung
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2024-10-14 17:06:30
kaufen Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15° Online fabricant

Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15°
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2025-04-04 22:43:30
kaufen µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm Online fabricant

µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm
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2025-04-04 22:43:27
kaufen Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser Online fabricant

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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