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kaufen AlGaN-Pufferdicke 600 nm 2-Zoll-Blue-LED-GaN auf Siliziumwafer Online fabricant

AlGaN-Pufferdicke 600 nm 2-Zoll-Blue-LED-GaN auf Siliziumwafer
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2025-04-04 22:42:47
kaufen 2 Zoll U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm Online fabricant

2 Zoll U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
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2024-10-14 17:06:30
kaufen 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat Online fabricant

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat
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2024-10-29 11:49:57
kaufen Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um Online fabricant

Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um
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2022-10-08 17:12:14
kaufen Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate Online fabricant

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
kaufen 375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate Online fabricant

375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate
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2024-11-18 19:17:19
kaufen Einzelne Gesichts-UNO Crystal GaN Epitaxial Wafers 2inch C lackierte n-Art Online fabricant

Einzelne Gesichts-UNO Crystal GaN Epitaxial Wafers 2inch C lackierte n-Art
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2022-10-08 16:00:57
kaufen Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates Online fabricant

Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06
kaufen 10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer Online fabricant

10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer
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2025-04-27 11:43:51
kaufen Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer M steht freistehenden GaN-Substraten gegenüber Online fabricant

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer M steht freistehenden GaN-Substraten gegenüber
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2023-02-17 10:52:50
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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