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kaufen AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si Online fabricant

AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si
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2024-12-06 17:33:44
kaufen 6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si Online fabricant

6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si
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2024-12-06 17:38:23
kaufen 2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium Online fabricant

2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium
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2024-12-06 17:35:32
kaufen 4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer
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2024-12-06 17:33:43
kaufen 4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer
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2024-12-06 17:33:43
kaufen Oberflächenmontierter Laserdiodenchip im Standardpaket 1,0 W/A Online fabricant

Oberflächenmontierter Laserdiodenchip im Standardpaket 1,0 W/A
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2022-09-22 15:13:00
kaufen SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um Online fabricant

SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um
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2022-10-08 16:41:01
kaufen Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um Online fabricant

Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um
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2024-10-29 11:49:57
kaufen 2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer Online fabricant

2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer
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2024-12-06 17:41:10
kaufen Flacher Kantenwinkel 16 mm gemusterte Vorderseite des Saphirsubstrats Online fabricant

Flacher Kantenwinkel 16 mm gemusterte Vorderseite des Saphirsubstrats
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2022-10-09 10:43:37
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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