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kaufen M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um Online fabricant

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46
kaufen Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm Online fabricant

Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen 5*10mm2 SP-Gesicht Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Widerstand 0,05 Ω·cm Online fabricant

5*10mm2 SP-Gesicht Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Widerstand 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen 10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm Online fabricant

10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
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2025-04-27 11:43:50
kaufen GaN-Substrate Oberflächenrauigkeit der Ga-Fläche < 0,2 nm (poliert) oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie) Online fabricant

GaN-Substrate Oberflächenrauigkeit der Ga-Fläche < 0,2 nm (poliert) oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie)
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2025-04-04 22:42:49
kaufen Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer Online fabricant

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer
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2022-10-09 17:04:59
kaufen Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert Online fabricant

Ein freistehendes GaN-Gallium-Einkristallsubstrat vom Typ Face N, undotiert
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2023-02-17 11:02:58
kaufen 5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ Online fabricant

5 x 10 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer, undotierter SI-Typ
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2024-10-29 11:49:57
kaufen F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity &gt; 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte Online fabricant

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte
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2024-10-29 11:49:57
kaufen M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity &lt; 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser Online fabricant

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser
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2025-04-04 22:43:38
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Sic Epitaxial- Oblate

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4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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