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kaufen TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W Online fabricant

TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W
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2025-04-27 11:43:51
kaufen GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat Online fabricant

GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat
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2024-12-06 17:45:14
kaufen 2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer für Power-Gerät Online fabricant

2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer für Power-Gerät
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2024-12-06 17:40:06
kaufen 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte Online fabricant

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
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2025-04-04 22:43:44
kaufen 5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm Online fabricant

5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht Online fabricant

Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht
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2025-04-27 11:43:51
kaufen SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät Online fabricant

SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät
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2025-04-04 22:43:33
kaufen 350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm Online fabricant

350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen Einzelkristall Gan Epi Wafer Galliumnitrid Substrat 4 Zoll Online fabricant

Einzelkristall Gan Epi Wafer Galliumnitrid Substrat 4 Zoll
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2024-12-06 17:44:01
kaufen 4 Zoll Fe-Doppierte freistehende GaN-Substrat Galliumnitrid Online fabricant

4 Zoll Fe-Doppierte freistehende GaN-Substrat Galliumnitrid
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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