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kaufen 4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:42:55
kaufen 4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer Online fabricant

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:43:47
kaufen Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate Online fabricant

Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate
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2025-04-04 22:43:28
kaufen 10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat Online fabricant

10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat
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2025-04-27 11:43:50
kaufen 5 x 10 mm2 M Face GaN Epitaxiewafer Dicke 325 um 375 um Online fabricant

5 x 10 mm2 M Face GaN Epitaxiewafer Dicke 325 um 375 um
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2024-11-18 19:17:19
kaufen 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate Online fabricant

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate
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2024-10-14 17:06:30
kaufen SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2 Online fabricant

SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2
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2025-04-27 11:43:51
kaufen 12.5mm 2inch freistehendes N GaN Epi Wafer Si Doped Online fabricant

12.5mm 2inch freistehendes N GaN Epi Wafer Si Doped
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2024-10-29 11:49:58
kaufen GaN-Galliumnitrid-Wafer Dicke 325 um - 375 um Freistehend Online fabricant

GaN-Galliumnitrid-Wafer Dicke 325 um - 375 um Freistehend
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2022-10-08 17:00:13
kaufen UNO lackierte n-Art GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face Online fabricant

UNO lackierte n-Art GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face
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2024-10-29 11:49:57
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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